智能互感器測(cè)試儀的低頻法測(cè)試原理
智能互感器測(cè)試儀的低頻法測(cè)試原理。
1、低頻法測(cè)試原理
IEC60044-6標(biāo)準(zhǔn)(對(duì)應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB16847-1977)聲稱(chēng),CT的測(cè)試可以在比額定頻率低的情況下進(jìn)行,避免繞組和二次端子承受不能容許的電壓。
智能互感器測(cè)試儀CT伏安特性測(cè)量的原理電路如下圖:CT一次側(cè)開(kāi)路,從二次側(cè)施加電壓,測(cè)量所加電壓V與輸入電流I的關(guān)系曲線(xiàn)。此曲線(xiàn)近似CT的勵(lì)磁電勢(shì)E與勵(lì)磁電流I的關(guān)系曲線(xiàn)。
設(shè)CT勵(lì)磁繞組在某一勵(lì)磁電流I時(shí)的激磁電感為L(zhǎng),激磁阻抗為Z,則:
V = I·Z
智能互感器測(cè)試儀電感L與阻抗Z之間具有下述關(guān)系:
Z = ω·L = 2 π f L
則:V= I·2 π f L
由智能互感器測(cè)試儀公式中可見(jiàn)在某一激磁電感L時(shí)所加電壓V與頻率f成正比關(guān)系。
假設(shè)當(dāng)f = 50Hz時(shí),為達(dá)到勵(lì)磁電流Ix,所需施加的電壓Vx為2000V
Vx = Ix·2 π f L = 2000V,
若施加不同頻率: f = 50Hz,Vx = 2000V
f = 5Hz, Vx ≌ 200V
f = 0.5Hz,Vx ≌ 20V
由此可見(jiàn)智能互感器測(cè)試儀需要使CT進(jìn)入相同飽和程度,施加較低頻率信號(hào)所需電壓可以大幅度降低這就是變頻法的基本原理。
在此智能互感器測(cè)試儀必須嚴(yán)格注意,所需電壓并非與頻率呈線(xiàn)性比例關(guān)系,并非隨著頻率等比例降低,需要嚴(yán)格按照互感器的精確數(shù)學(xué)模型進(jìn)行完整的理論計(jì)算。
1、低頻法測(cè)試原理
IEC60044-6標(biāo)準(zhǔn)(對(duì)應(yīng)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB16847-1977)聲稱(chēng),CT的測(cè)試可以在比額定頻率低的情況下進(jìn)行,避免繞組和二次端子承受不能容許的電壓。
智能互感器測(cè)試儀CT伏安特性測(cè)量的原理電路如下圖:CT一次側(cè)開(kāi)路,從二次側(cè)施加電壓,測(cè)量所加電壓V與輸入電流I的關(guān)系曲線(xiàn)。此曲線(xiàn)近似CT的勵(lì)磁電勢(shì)E與勵(lì)磁電流I的關(guān)系曲線(xiàn)。
V = I·Z
智能互感器測(cè)試儀電感L與阻抗Z之間具有下述關(guān)系:
Z = ω·L = 2 π f L
則:V= I·2 π f L
由智能互感器測(cè)試儀公式中可見(jiàn)在某一激磁電感L時(shí)所加電壓V與頻率f成正比關(guān)系。
假設(shè)當(dāng)f = 50Hz時(shí),為達(dá)到勵(lì)磁電流Ix,所需施加的電壓Vx為2000V
Vx = Ix·2 π f L = 2000V,
若施加不同頻率: f = 50Hz,Vx = 2000V
f = 5Hz, Vx ≌ 200V
f = 0.5Hz,Vx ≌ 20V
由此可見(jiàn)智能互感器測(cè)試儀需要使CT進(jìn)入相同飽和程度,施加較低頻率信號(hào)所需電壓可以大幅度降低這就是變頻法的基本原理。
在此智能互感器測(cè)試儀必須嚴(yán)格注意,所需電壓并非與頻率呈線(xiàn)性比例關(guān)系,并非隨著頻率等比例降低,需要嚴(yán)格按照互感器的精確數(shù)學(xué)模型進(jìn)行完整的理論計(jì)算。